В начале прошлого года компания AMD лицензировала у Innovative Silicon память Z-RAM, которая изготавливается по технологии "кремний на изоляторе" (silicon-on-insulator, SOI). Плотность Z-RAM первого поколения обещала быть в пять раз большей, чем у традиционно используемой сейчас в кэш-памяти процессоров SDRAM.
Не прошло и года, как компании заключили новое соглашение, касающееся второго поколения Z-RAM. Как сообщает источник, при использовании 65-нм технологии новая разработка позволяет уместить на одном квадратном миллиметре чипа 5 Мбит (625 Кб) памяти. Соответственно, для создания кэш-памяти объёмом в 10 Мб потребуется площадь всего в 16 мм².
Для сравнения, 65-нм чипы Intel Core 2 Duo имеют площадь примерно 143 мм², треть которой занимает кэш объёмом 4 Мб. Скорость и энергопотребление второго поколения Z-RAM также довольно соблазнительны. Теоретически новая память может работать на частоте 400 МГц, потребляя при этом 10 мкВт (0,00001 Вт) на 1 МГц. Напомним, что Z-RAM производится по технологии SOI, идеально подходящей AMD, которая выпускает процессоры именно с использованием SOI.
Планы AMD касательно приобретения довольно прозрачны. Крейг Сандер (Craig Sander), вице-президент AMD по технологическим разработкам, практически повторил слова, произнесенные им в начале года: «Комбинация высокой плотности, низкого энергопотребления и производительности плюс возможность использования с нашими стандартными техпроцессами делают Z-RAM чрезвычайно привлекательной для использования в наших будущих микропроцессорах».
Вполне возможно, что через несколько лет мы увидим CPU производства AMD, оборудованные кэш-памятью огромного по сегодняшним меркам размера. Однако ещё более вероятно, что к тому времени появится Z-RAM третьего поколения. А AMD сможет честно заявить, что «стояла у истоков новой технологии».
Подождите...