Память DDR2 плотностью 1 Гбит, произведенная Hynix по нормам «50-нм класса», прошла тесты Intel

   Компания Hynix Semiconductor объявила о том, что ее компоненты памяти DDR2 плотностью 1 Гбит, выпущенные по нормам «50-нм класса», прошли верификацию Intel.

   Переход от техпроцесса 60-нм класса к техпроцессу 50-нм класса, по словам Hynix, позволяет существенно, на 50%, повысить эффективность производства, и компания рассчитывает на соответствующее снижение себестоимости микросхем.

   В чипах памяти плотностью 1 Гбит нашли применение новые технологии: «трехмерные транзисторы» и «W-DPG (Dual Poly Gate)». Это привело к значительному уменьшению утечек, что, в свою очередь, положительно сказалось на энергопотреблении и быстродействии памяти. Упомянутые технологии в будущем планируется распространить и на память DDR3. Серийный выпуск чипов DDR2 плотностью 1 Гбит и продуктов DDR3 начнется во второй половине будущего года.