Корпорация Toshiba сообщила сегодня о том, что в ее недрах разработана новая технология, которая должна позволить достичь плотности памяти в 100 Гбит!
В будущем, при производстве памяти, создаваемой по нормам 10-нм техпроцесса, планируется применять новую технологию двойного туннелирования, разработанную инженерами компании. Ожидается, что это приведет к тому, что можно будет достичь небывалых значений плотности — 100 Гбит или даже больше.
В Toshiba разработали так называемый туннельный слой, которой контролирует движения электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) — структуре памяти, удерживающей электроны в нитридном слое изолятора. Эта структура представляет собой сэндвич с обеих сторон 1,2-нм слоя кремниевых нанокристаллов между 1-нм слоями оксидных пленок, что собственно и обеспечивает в итоге высокую скорость работы памяти — запись и удаление данных в ней можно производить быстро, причем параллельно.
При этом Toshiba перешла от применения пленки нитрида Si3N4 к Si9N10, — материал содержит больше кремния, что позволило оптимизировать такой элемент структуры, как канал концентрации примесей. Прототип такой структуры памяти уже реализован в компании.
В компании постоянно ведутся работы по исследованию возможностей улучшения памяти, включая разработку трехмерных структур. В Toshiba верят в успех реализации новой технологии двойного туннелирования для создания памяти следующего поколения, выполняемой по нормам 10 нм.
Подождите...