Nikon анонсирует иммерсионный сканер для освоения норм 32 нм

   Корпорация Nikon объявила о намерении выпустить иммерсионный сканер для технологии двойного экспонирования с двойным шаблоном (Double Patterning, DP), который будет основан на известной платформе NSR-S610C. Как утверждается, заказчики получат сканер в четвертом квартале текущего года. Усовершенствования, выполненные в NSR-S610C, позволили удовлетворить критические требования по совмещению, предъявляемые указанной технологией. Таким образом, Nikon удалось, что называется, «малой кровью» — в данном случае, с минимальным техническим риском, поскольку используется уже опробованное в серийном производстве оборудование — проложить дорогу к освоению более тонких норм техпроцесса, к тому же, сохранив все достоинства платформы Tandem Stage и технологии Local Fill Technology.

   Иммерсионная литография показала свой потенциал, как средство серийного 45-нм производства. При переходе к нормам 32 нм, наиболее вероятным кандидатом на роль технологии массового выпуска претендует иммерсионная литография с DP. Коротко говоря, она заключается в разделении одного шаблона с плотным размещением элементов на два, в которых элементы расположены дальше друг от друга — настолько, что работать с каждым из них можно с помощью существующих инструментов. Выполнив экспозицию дважды — по одному разу для каждого шаблона — можно получить такое же плотное размещение элементов на поверхности полупроводниковой пластины, как было на исходном шаблоне.

   Очевидно, что одной из ключевых особенностей этой технологии, образно говоря, бросающих вызов разработчикам, является необходимость чрезвычайно точного совмещения двух шаблонов. Поскольку окончательное смещение определяется, как сумма двух смещений (по одному для каждой экспозиции), пространство для маневра существенно сокращается: в настоящее время допустимые пределы смещения не превышают 3-4 нм (для одной экспозиции).

   Между тем, освоение норм 32 нм в серийном производстве намечено на 2011-2013 годы. Чтобы осуществить эти планы, необходимо перейти к созданию соответствующей технологии в конце 2008 или в начале 2009 года.