Intel и Micron первыми перешагнули рубеж 40 нм в производстве флэш-памяти типа NAND MLC

   Компании Intel и Micron Technology представили первую в отрасли флэш-память типа NAND, изготовленную по нормам менее 40 нм. MLC-чип плотностью 32 Гбит произведен с применением 34-нм техпроцесса. Техпроцесс был создан специалистами Intel и Micron, а чип был изготовлен на фабрике совместного предприятия IM Flash Technologies (IMFT).

   На данный момент, указанный техпроцесс является самым «тонким» в отрасли. Чип плотностью 32 Гбит стал единственным монолитным изделием такой плотности, рассчитанным на упаковку в стандартный 48-контактный корпус типа TSOP (thin small-outline package), и обеспечивающим, таким образом, естественный и экономичный путь миграции существующих приложений к памяти большого объема. Поставки ознакомительных образцов начнутся в июне, а серийный выпуск компании обещают начать во второй половине года.

   Память плотностью 32 Гбит будет производиться по нормам 34 нм из пластин диаметром 300 мм. На одной подложке указанного размера помещается примерно 1,6 ТБ памяти. Площадь одного чипа равна 172 кв.мм. Используя разработанную 34-нм архитектуру, Intel и Micron планируют до конца года выпустить память типа NAND SLC.

   Одним из основных применений новых чипов названы твердотельные накопители (SSD). Напомним, Intel собирается комплектовать SSD мобильную платформу Centrino 2. Как утверждается, использование 34-нм памяти позволит снизить стоимость этой продукции и увеличить объем 1,8-дюймовых SSD за пределы сегодняшней отметки 256 ГБ.