Samsung показала 16Гб модули памяти

   Компания Samsung приступила к производству образцов 50нм DDR3 микросхем памяти, которые позволят увеличить ёмкость отдельных модулей памяти до 16Гб. Как сообщает производитель, 50нм микросхемы памяти имеют ёмкость до 2Гб каждая, то есть в два раза больше, чем другие современные микросхемы памяти. Вдобавок энергопотребление 50нм микросхем на 40% меньше, чем у более ранних моделей.

   Новые микросхемы позволят создавать модули RIMM ёмкостью до 8Гб, модули SODIMM для ноутбуков ёмкостью до 4Гб. Модули памяти для серверов и персональных компьютеров на основе новых микросхем будут иметь ёмкость до 16Гб. 50нм DDR3 модули будут поддерживать скорость передачи данных до 1.3Гбит/с при напряжении питания 1.35В или 1.5В. Samsung сообщает, что массовое производство 2Гб микросхем начнётся в конце этого года, а первые модули памяти с этими микросхемами появятся в 2009 году.