Модули памяти Samsung одобрены Intel

   Южнокорейская компания Samsung Electronics с гордостью объявляет о том, что её последние 2Гб модули DDR3 памяти сертифицированы Intel для использования в системах на базе процессора Core i7. Эти модули памяти Samsung, сделанные по 50нм техпроцессу, отличаются достаточно высокой пропускной способностью при низком энергопотреблении. В ближайшее время Samsung собирается начать выпуск модулей памяти DDR3-1066 ёмкостью 2Гб и 4Гб.

   Производитель отмечает, что новые модули памяти не подходят для любителей разгона, которым придётся дождаться появления на рынке модулей памяти DDR3 с частотой 1333МГц и выше.