Hynix разработала 2Гбитный мобильный модуль DRAM

   Компания Hynix сообщает, что она создала первый модуль DRAM ёмкостью 2Гбит, сделанный по 54нм техпроцессу. Ёмкость этого модуля вдвое больше ёмкости других мобильных модулей памяти. Скорость нового модуля достигает 400Мбит/с при напряжении питания 1.2В, а скорость обработки данных достигает 1.6Гб/с при 32-битной шине ввода/вывода. Кроме того, энергопотребление этого модуля ниже, чем энергопотребление других существующих решений.

   В числе прочих преимуществ новый модуль памяти относится к решениям, названным Hynix "One Chip Solutions": он поддерживает интерфейсы SDRAM и DDR DRAM, а также x16 и x32. Этот модуль памяти Hynix имеет большую производительность и удовлетворяет стандартам JEDEC, вследствие чего он идеально подходит для различных мобильных устройств следующего поколения, начиная с MID (Mobile Internet Device) и заканчивая UMPC (Ultra Mobile PC).

   Модули памяти ёмкостью 2Гбит удовлетворяют всем основным техническим требованиям компонентов мобильных устройств: они имеют высокую плотность памяти, низкое энергопотребление, большую скорость обработки данных и небольшие размеры. Компания Hynix планирует начать массовое производство этих модулей в первой половине 2009 года для того, чтобы удовлетворить растущий спрос на высокопроизводительные мобильные решения.