Компании Toshiba, IBM и AMD разработали самые маленькие ячейки SRAM, названные FinFET. Технические детали разработки компании расскажут на предстоящем международном форуме International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско.
Эти ячейки, сделанные на основе high-k/metal gate (HKMG) материала, имеют площадь около 0.128µm², что даёт им существенные преимущества по сравнению с обычными ячейками памяти (planar-FET). Источник сообщает, что эти ячейки в отличие от предыдущего поколения имеют трёхмерную структуру, сделаны в расчёте на промышленный 22нм техпроцесс и их площадь составляет около 46% от площади ячеек предыдущего поколения (0.274µm²).
Производители исследовали свойства различных вариаций ячеек FinFET. Даже без дополнительных усовершенствований характеристики ячеек FinFET на 28% лучше характеристик прошлого поколения ячеек
памяти.