Первые 40нм чипы памяти получили сертификацию Intel

   Южнокорейская компания Samsung с гордостью сообщает о том, что она создала первые чипы DRAM, сделанные по 40нм техпроцессу. Новые чипы памяти Samsung уже получили сертификацию Intel для использования вместе с мобильным чипсетом GM45. Первая модель 40нм чипа памяти имеет ёмкость 1Гбит и соответствует характеристикам памяти DDR2, которая поддерживает скорость передачи данных до 800Мбит/с.

   Как сообщает производитель, переход на 40нм техпроцесс позволит увеличить производительность оперативной памяти на 60% и снизить энергопотребление на 30% по сравнению с модулями памяти, сделанными по 50нм техпроцессу. Производитель также отмечает, что появление 40нм техпроцесса является "важным шагом" в разработке "DRAM с ультра-высокой производительностью", такой, как DDR4. Samsung не предоставляет дополнительную информацию, однако некоторые источники сообщают, что появления DDR4 памяти на рынке не стоит ждать раньше 2012 года.