Производство 40нм модулей DDR3 DRAM Hynix начнётся в третьем квартале 2009 года

   Компания Hynix Semiconductor вчера, 8 февраля, объявила о том, что она создала 1Гб модуль DDR3 DRAM, сделанный по 40нм техпроцессу. В настоящее время новые чипы Hynix проходят сертификацию Intel. Эти чипы имеют максимальную скорость передачи данных до 2133Мбит/с и работают в широком диапазоне напряжений. Как сообщает производитель, массовое производство 1Гб чипов DDR3 памяти по 40нм техпроцессу начнётся в третьем квартале 2009 года.

   По сравнению с современными модулями оперативной памяти, чипы которых сделаны по 50нм техпроцессу, производительность будущих модулей с 40нм чипами будет примерно на 50% больше. Благодаря архитектуре с "трёхмерными транзисторами" у новых чипов памяти минимизированы утечки и снижено общее энергопотребление.

   Производитель рассчитывает в ближайшие месяцы расширить применение 40нм технологии на другие продукты, в том числе на мобильную память и на графическую память, что позволит создавать чипы мобильной и графической памяти, отличающиеся высокой скоростью и низким энергопотреблением.