Toshiba показала прототип памяти FeRAM

   Компания Toshiba объявила, что она разработала новый тип памяти FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory, сегнетоэлектрическая оперативная память). Как утверждает производитель, прототип этой энергонезависимой памяти обладает очень большой ёмкостью и имеет высокую скорость чтения/записи. Несмотря на то, что представленный чип имеет ёмкость всего 128Мбит (16Мб), его показатели впечатляют: он поддерживает чтение и запись со скоростью 1.6Гб/с.

   Первый прототип памяти FeRAM был сделан по 160нм техпроцессу. Несмотря на достаточно старый техпроцесс, характеристики чипа лучше характеристик современных чипов оперативной памяти, сделанных по более тонкому техпроцессу. При дальнейшем развитии FeRAM и переводе этой памяти на более тонкие технологические процессы её качество улучшится. Кроме того, прототип памяти FeRAM использует интерфейс DDR2, поддерживаемый в большинстве современных платформ.

   По-видимому, FeRAM предлагает гораздо лучшую производительность, чем DRAM. В отличие от DRAM-памяти, FeRAM способна сохранять данные даже при отключенном питании, что делает эту память идеальной для мобильных устройств, в которых необходимо возможно более низкое энергопотребление. Компания Toshiba пока не может предсказать, когда на рынке появятся продукты на основе сегнетоэлектрической памяти, но сообщает, что разработка этой памяти продолжается.