Новая флеш-память от SanDisk

   На ISSCC компания SanDisk объявила о нескольких перспективных разработках в области NAND флеш-памяти. Производитель сообщил, что совместная с компанией Toshiba работа над 32нм техпроцессом производства чипов NAND флеш-памяти продвигается успешно и вскоре можно будет приступить к массовому производству 32Гб чипов памяти типа X3 (3 бита в ячейке), сделанных по этой технологии. Новые 32нм чипы памяти будут меньше и дешевле современных 43нм чипов. Запуск производства новых чипов запланирован на вторую половину 2009 года.

   Новое поколение чипов памяти было создано всего через 18 месяцев после создания предыдущего поколения, 56нм чипов памяти типа X3. 32нм чипы памяти являются самыми маленькими чипами флэш-памяти, созданными к настоящему моменту. В первую очередь они будут использоваться в различных мобильных устройствах, которым необходима энергоэффективная память высокой ёмкости, в том числе в сотовых телефонах и нетбуках.

   Кроме того, SanDisk рассказала о создании 43нм флеш-памяти типа X4 (4 бита в ячейке). Это означает, что SanDisk может производить по 43нм техпроцессу флэш-память, ёмкость которой больше на 33%. Производитель показал образец 64Гб чипа, сделанного по этой технологии, скорость записи которого равна 7.8Мб/с. Массовое производство чипов NAND флеш-памяти типа X4 начнётся в первой половине этого года.