В этом году Samsung выпустит 40нм чип DDR3 ёмкостью 2Гбит

   Компания Samsung недавно сообщила о создании первых 40нм чипов памяти. Первая модель 40нм чипа памяти имела ёмкость 1Гбит и соответствовала спецификации DDR2. Модуль оперативной памяти Samsung ёмкостью 1Гб, сделанный на основе этих чипов, прошёл сертификацию Intel.

   Производитель собирается поднять планку ещё выше. Samsung объявила, что к концу этого года она наладит массовое производство 40нм чипов DDR3 памяти. Производитель пока не раскрывает технические характеристики будущих чипов памяти, но уже достоверно известно, что в числе прочих моделей будут производиться чипы DDR3 ёмкостью 2Гбит, официальный анонс которых состоится во второй половине этого года.

   Переход на 40нм техпроцесс позволит на 30% сократить расход энергии и станет важным шагом на пути создания оперативной памяти стандарта DDR4.