Samsung создала 8Гб 40нм чип NAND

   Компания Samsung Electronics объявила о начале применения 40нм техпроцесса при производстве 8Гб чипов flash-памяти гибридного типа Flex-OneNAND, в которых объединяются SLC и MLC архитектуры. Согласно планам производителя, к концу этого года 40нм чипы памяти Samsung Flex-OneNAND позволят смартфонам поддерживать видео высокого качества (HDTV), цифровое телевидение (IPTV), и другие аналогичные приложения. Кроме более высокой скорости передачи данных новый тип памяти позволит встраивать в смартфоны от 1Гб до 32Гб флеш-памяти.

   По сравнению с первыми образцами Flex-OneNAND, которые были сделаны по 60нм техпроцессу, производительность новых 40нм чипов увеличилась на 180%. Разработанная в 2007 году, флеш-память Samsung Flex-OneNAND содержит на одном чипе как SLC, так и MLC элементы. Это позволяет значительно увеличить производительность и эффективность встроенного чипа флеш-памяти. Кроме того, применение Flex-OneNAND позволяет уменьшить площадь, занимаемую памятью на плате, и повысить производительность всей системы за счёт уменьшения шумов при передаче данных.

   Представители Samsung сообщают, что производитель расширяет своё сотрудничество с дизайнерами чипсетов для предоставления производителям поддержки новейших решений в области флеш-памяти, таких как Flex-OneNAND.