Компания Samsung Electronics объявила о начале выпуска модулей памяти, сделанных на основе чипов высокой плотности записи, 50нм 2Гбит чипов DDR3 памяти.
В новой линии модулей
оперативной памяти Samsung будут выпущены планки DDR3-памяти ёмкостью 16Гб (RIMM) и 8Гб (RDIMM), предназначенные для установки в сервера. В сентябре прошлого года Samsung
представила 50нм чипы DDR3 памяти ёмкостью 2Гбит.
16Гб модуль DDR3 памяти Samsung поддерживает обмен данными со скоростью 1066Мбит/с и позволяет в двухпроцессорной серверной системе использовать до 192Гб (16Гб*2*6) оперативной памяти высокой плотности. Новые модули памяти работают при напряжении 1.35В, обеспечивая около 20% экономии энергии по сравнению с DDR3 модулями, работающими при напряжении 1.5В. Эти модули памяти сделаны по "двухэтажной" технологии (DDP, dual-die package), которая, как сообщает Samsung, более энергоэффективна, чем активно обсуждаемая сейчас "четырёхэтажная" технология (quad-die package).
Ссылаясь на данные исследовательской компании IDC, Samsung заявляет, что глобальный рынок DDR3 памяти в 2009 году составит 29% от общего объёма рынка оперативной памяти. В 2011 году доля DDR3 памяти на рынке возрастёт до 75% (в 1Гб эквиваленте). Кроме того, DDR3 модули, сделанные на основе 2Гбитных чипов, в этом году займут 3% от всех DDR3 модулей, а в 2011 году будут занимать 33% этого сегмента рынка.
Подождите...