Компания Intel сообщает о последних разработках в области производства чипов. Её разработчики создали P-канальный транзистор с кремниевой подложкой, сделанный с применением сложных полупроводников, также известных как III-V-элементы. Эти элементы расположены в III и в V столбцах периодической таблицы Менделеева, в то время как кремний находится в IV столбце.
Intel сообщает, что производительность чипов на основе P-канальных транзисторов будет выше производительности всех современных моделей. Год назад Intel сообщила о разработке N-канальных транзисторов, также сделанных с применением сложных полупроводников. Комбинация P-канальных и N-канальных транзисторов может служить базовым блоком для будущих боле мощных CMOS-схем. Дополнительным преимуществом транзисторов со сложными полупроводниками является их невысокое энергопотребление: теоретически чипы на основе P-канальных и N-канальных транзисторов будут потреблять примерно в 10 раз меньше энергии, чем современные чипы, а также смогут работать при вдвое меньшем входном напряжении.
Возможно, очередное поколение
процессоров Intel будет отличаться от предыдущих не только частотами и количеством ядер, но и принципиально другими транзисторами.
Подождите...
Компания Intel сообщает о последних разработках в области производства чипов. Её разработчики создали P-канальный транзистор с кремниевой подложкой, сделанный с применением сложных полупроводников, также известных как III-V-элементы. Эти элементы расположены в III и в V столбцах периодической таблицы Менделеева, в то время как кремний находится в IV столбце.