Компьютеры с мгновенной загрузкой стали немного ближе

   При поддержке Национального научного фонда США (National Science Foundation, NSF) учёные Корнельского университета (Cornell University), Университета штата Пенсильвания (Penn State University) и Северо-западного университета (Northwestern University) разработали способ создания материала для транзистора со свойствами сегнетоэлектрика.

   Сегнетоэлектрические материалы позволяют создать электронную память с более низким энергопотреблением и более высокой энергоэффективностью. Модули оперативной памяти и электронные накопители, созданные с применением сегнетоэлектриков, позволили бы компьютеру загружаться почти мгновенно, и в кратчайшие сроки предоставлять пользователю сохранённую информацию и все необходимые данные. Как сообщил руководитель исследований Даррелл Шлом (Darrell Schlom), учёными был взят титанат стронция, который используется в смарт-картах и обычно не является сегнетоэлектриком, и нанесён на кремниевую пластину таким образом, что кремний становится сегнетоэлектриком.

   Эта разработка позволит создать новое поколение устройств, удобных в использовании, у которых скорость обмена данными с оперативной памятью и накопителями информации была бы намного выше, чем у современных аналогов. Говоря более простым языком, это означает появление компьютера, который будет способен выйти в локальную сеть или получить доступ к данным жёсткого диска, не дожидаясь окончания загрузки, или даже очень быстро загрузить операционную систему.

   До появления устройств на основе сегнетоэлектриков предстоит ещё много работы. Пока учёным не очень понятно, каким образом можно включить эту технологию в промышленный способ создания транзисторов и микросхем, и до появления компьютеров с "мгновенной загрузкой" пройдёт ещё немалое время.