Hynix создала 54нм 1Гб мобильные чипы памяти DDR2

   Компания Hynix Semiconductor объявила о разработке мобильных чипов памяти DRAM DDR2-типа ёмкостью 1Гб по 54нм техпроцессу. Эти чипы предназначены для использования в высокопроизводительных мобильных устройствах. Hynix сообщает, что начало массового производства этих чипов намечено на вторую половину этого года.

   Как сообщает производитель, новые 54нм чипы памяти стабильно работают на частоте до 1066МГц. Это означает, что при наличии 32-битной шины ввода/вывода пропускная способность будет около 4.26Гб/с на один канал, 8.52Гб/с при двухканальном режиме. При этом 54нм мобильные чипы памяти потребляют на 50% меньше энергии, чем мобильные чипы DDR предыдущего поколения, и на 30% меньше, чем стандартные чипы DDR2 DRAM.

   Новые мобильные чипы памяти DRAM производства Hynix соответствуют стандартам JEDEC и прекрасно подходят для использованяи в новом поколении мобильных устройств, в том числе в MID, нетбуках и в элитных сотовых телефонах, в которых требуется высокая пропускная способность и достаточно долгое время автономной работы.