Компании Hynix Semiconductor, Samsung, LGE и Silicon Image формируют рабочую группу, основной задачей которой будет развитие и продвижение технологии Serial Port Memory Technology (SPMT), новой спецификации DRAM, которая сначала должна появиться в
телефонах, способных запускать ресурсоёмкие приложения и имеющих увеличенный срок работы от аккумулятора. По словам производителей, новая память позволит уменьшить число контактов не менее чем на 40% по сравнению с нынешней DRAM, увеличить ширину полосы пропускания с 200Мб/с до 12.6Гб/с и выше, а также даст возможность использовать параллельный интерфейс при обмене данными с памятью.
"Мне очень приятно работать в такой выдающейся группе компаний, собравшихся для того, чтобы сформировать Консорциум SPMT по разработке и продвижению новой спецификации архитектуры интерфейса памяти для растущих потребностей мультимедийных мобильных устройств," ─ сказал Джим Винэйбл (Jim Venable), главный
проповедник технолог SPMT. ─ "Serial Port Memory Technology будет большим шагом вперёд, предоставляющим дизайнерам мобильных телефонов возможность расширить свои горизонты для нового поколения продуктов."
Чтобы получить более широкую поддержку, консорциум SPMT решил, что производителям, использующим эти спецификации, не требуется отдавать консорциуму некий процент от продаж в качестве платы за авторское право. Они будут платить ежегодно только какую-то фиксированную сумму для дальнейшего развития стандарта. Начало массового производства устройств с памятью SPMT планируется на 2012 год.