TSMC готовится к производству по 28нм техпроцессу

   Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о том, что в июле 2009 года на предстоящей конференции Design Automation Conference (DAC) она покажет новейшую технологию Reference Flow 10.0 для создания пластин по 28нм техпроцессу. Как сообщили представители TSMC, разработка более тонкого "half node" техпроцесса идёт по графику.

   Осенью 2008 года TSMC сообщила о планах начать массовое производство пластин по 28нм техпроцессу в первом квартале 2010 года. не так давно производитель благополучно перешёл на массовое производство пластин по технологии Reference Flow 9.0, соответствующей 40нм техпроцессу. Пластины, сделанные по 28нм техпроцессу, будут сделаны на основе материалов с большой диэлектрической постоянной (high-k metal gate, HKMG) и из оксинитрида кремния (silicon oxynitride, SiON), повсеместно применяемом в качестве материала затвора.

   В конце 2009 года 40нм техпроцесс будет составлять 8-10% от общего объёма производства компании TSMC, а ко второму кварталу 2010 года это число достигнет 15-20%. В число клиентов TSMC, разместивших заказы на 40нм пластины, входят производители микропроцессоров для телефонов, графических процессоров и других чипов.

   Конференция DAC пройдёт с 26 по 31 июля в Сан-Франциско. Выступление Фу-Чьена Хсу (Fu-Chieh Hsu), вице-президента по дизайну и технологиям компании TSMC, назначено на 28 июля.