Toshiba разработала 16нм техпроцесс

   Японская компания Toshiba сообщила о создании новой технологии создания полупроводников на основе германия, которая позволит достичь 16нм, то есть в два раза более тонкого техпроцесса, чем современный.

   Сейчас при производстве микросхем памяти используются 32нм и 43нм техпроцессы, а при производстве процессоров ─ 45нм техпроцесс. Компания Toshiba утверждает, что её разработчики добились прорыва, используя германид стронция для производства полевых транзисторов MISFET (металл-диэлектрик-полупроводник) по 16нм техпроцессу или даже более тонкому.

   Как известно, германий занимает в периодической таблице элементов место, аналогичное месту кремния, и его использование открывает возможности для создания очень маленьких интегральных схем, но пока при разработке микросхем на германии возникает больше проблем, чем при дальнейшей разработке микросхем на кремнии, которые стремительно приближаются к своему нижнему пределу.

   Toshiba сообщает, что разработанная ею технология предполагает использование германида стронция в качестве промежуточного слоя и подходит для разработки 16нм чипов. Производитель собирается представить соответствующие документы и рассказать о новой разработке подробнее на симпозиуме 2009 VLSI Symposia, который пройдёт в Киото, в конце этой недели.