TSMC перейдёт на 28нм техпроцесс в начале 2010 года

   Джек Сан (Jack Sun), вице президент TSMC по исследованиям и разработке, сообщил о том, что компания завершила разработку 28нм техпроцесса и планирует приступить к массовому выпуску пластин по новым нормам в начале 2010 года. Переход на более тонкий full-node техпроцесс позволит делать более производительные энергоэффективные модели с низким энергопотреблением.

   TSMC сообщила о своих достижениях на симпозиуме, прошедшем в Японии 17 июня. Производитель рассказал, что им были получены хорошие результаты при создании 64Мбит SRAM-структуры по 28нм SoC-технологии с двойным/тройным затвором. Были продемонстрированы ячейки со стороной 0.127мкн и средней плотностью больше 3.9млн затворов/мм². TSMC сообщила, что использование транзисторов на оксинитриде кремния (SiON) с низкими задержками и низкими рабочими токами обеспечивает повышение скорости до 25-40% и увеличение производительности до 30-50% по сравнению с предыдущей 45нм технологией.