Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Понедельник, 22 июня 2009 00:00

Micron представляет высокопроизводительную DDR3 память для ноутбуков

короткая ссылка на новость:
Micron представляет высокопроизводительную DDR3 память для ноутбуков   Уже стало очевидно, что технология DDR3 вскоре полностью заменит DDR2. С этим согласилась даже компания AMD, последняя платформа которой поддерживает только DDR3 память. Несмотря на то, что до сих пор продаётся большое количество модулей оперативной памяти типа DDR2, сегмент DDR3 активно расширяется. Недавно компания Samsung показала первые в мире модули памяти ёмкостью 32Гб типа DDR3, предназначенные для серверов.

   Сегмент мобильной памяти также расширяется. Компания Micron представляет высокопроизводительные модули 2Гб SODIMM типа DDR3 и обещает осенью этого года начать массовое производство 4Гб модели. Производителю удалось сократить энергопотребление на 20% и понизить рабочее напряжение до 1.35В. Благодаря новым модулям памяти Micron, срок автономной работы ноутбуков увеличится, а скорость обмена данными повысится. Как сообщает производитель, новые модули DDR3 памяти предлагают непревзойденное сочетание производительности и эффективности для ноутбуков.

   При разработке ноутбука важнейшими критериями являются срок работы без подзарядки аккумулятора и предоставление возможностей, максимально близких к возможностям обычного компьютера, и новые модули памяти Micron обеспечивают идеальное сочетание производительности и энергоэффективности. Эти модули разработаны с использованием 1.35В 1Гбит DDR3 чипов, что позволит еще сильнее экономить энергию по сравнению со стандартными 1.5В DDR3 чипами. Что еще более важно, низкое потребление энергии достигается без ущерба для производительности памяти: новые модули обеспечивают пропускную способность 1333Мбит/с.

   "Мы повышаем эффективность наших DRAM-модулей со всех точек зрения, то есть с точек зрения мощности и производительности, что в конечном счёте даёт пользователям возможность быть более продуктивными," ─ сказал Роберт Ферл (Robert Feurle), вице-президент по маркетингу DRAM-продукции компании Micron. ─ "Наши новые DDR3 модули для ноутбуков предлагают сокращение потребления энергии примерно на 20% по сравнению со стандартными 1.5В DDR3 модулями при сохранении преимуществ высокой производительности, позволяя создать портативные устройства, сравнимые по мощности с обычными настольными решениями."

Источник: NordicHardware

подписаться   |   обсудить в ВК   |