Samsung рассылает образцы 35нм NAND флеш-памяти

   Компания Samsung Electronics начала рассылать своим партнёрам образцы 35нм NAND флэш-чипов с контроллером IC, что сигнализирует о скором появлении на рынке NAND флеш-памяти 30нм-класса, которая сможет иметь плотность до 32Гбит.

   Как сообщает источник, компания Toshiba также собирается в июле увеличить выпуск NAND-продукции, и, предположительно, Samsung последует их примеру. Расширение производства компанией Toshiba легко объяснить, если вспомнить о выпуске мобильного телефона iPhone 3GS, флеш-чипы NAND для которого делает Toshiba. Технология Toshiba, позволяющая в одну MLC-ячейку записывать 3 бита информации и обеспечивающая более высокую плотность записи данных и экономию средств, потенциально опасна для Samsung. Массовое производство 3-бит MLC чипов Toshiba, сделанных по 32нм техпроцессу, намечено на вторую половину 2009 года, и Samsung, стараясь обогнать конкурента, собирается в ближайшие месяцы начать выпуск собственной новой высокопроизводительной флеш-памяти.