Samsung начала массовое производство 2Гбит 40нм чипов DDR3

   Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер на рынке памяти, объявила о том, что она начала массовое производство первых в отрасли чипов DDR3 памяти ёмкостью 2Гбит, сделанных по 40нм техпроцессу. "Мы считаем, что рынок созрел для выхода DDR3 на поток и приходим к выводу о необходимости скорейшего выпуска 2Гбит GDDR3 чипов, сделанных с использованием наиболее эффективных современных технологий производства DRAM," ─ сказал Джим Эллиот (Jim Elliott), вице-президент по маркетингу памяти компании Samsung Semiconductor. ─ "Это позволит установить новый высокий стандарт экологичных решений DRAM, предлагающих самые передовые модули памяти с низким энергопотреблением для любых серверов."

   Семимесячная задержка между разработкой новых технологий и началом массового производства новых DDR3 модулей (с января по июль 2009) позволяет OEM-производителям оптимизировать свои системы следующего поколения в более короткие сроки. Кроме того, переход на 40нм техпроцесс обеспечит рост производства примерно на 60% по сравнению с 50нм техпроцессом. Помимо 16Гб, 8Гб и 4Гб модулей RDIMM оперативной памяти Samsung для серверов производитель будет на основе новых 40нм чипов выпускать модули UDIMM (unregistered in-line memory modules) для рабочих станций и настольных компьютеров, а также модули SODIMM (small outline dual in-line memory modules) ёмкостью не больше 4Гб для ноутбуков.

   Монолитные 2Гбит чипы являются энергосберегающим решением для приложений, активно использующих память. Каждый такой чип работает со скоростью передачи данных до 1.6Гбит/с при входном напряжении 1.35В, то есть он вдвое быстрее, чем один 2х1Гбит чип со скоростью работы 800Мбит/с.

   Согласно данным исследовательской компании iSuppli, к 2012 году на память с 2Гбит DDR3 чипами будет приходиться около 82% от общего объёма DDR3 DRAM. А в 2010 году DDR3 DRAM будет основным используемым типом памяти.