3 бита лучше, чем 2, считают Micron и Intel

   В самом начале ежегодного мероприятия Flash Memory Summit компании Intel и Micron сделали неожиданное объявление: они сообщили о разработке флеш-памяти с 3 битами на ячейку. Новая флеш-память будет производиться по 34нм техпроцессу. Её появление означает переход на новую ступень развития флеш-памяти. Со времени разработки SLC (single-level cell) флеш-памяти был сделан только один шаг подобного масштаба, который привёл к появлению MLC (multi-level cell) флеш-памяти, позволяющей в каждую ячейку записывать по 2 бита. При этом ёмкость MLC памяти на 100% выше ёмкости SLC памяти. Появление 3-битной флеш-памяти позволит увеличить ёмкость носителей на 200% по сравнению с SLC и на 50% по сравнению с MLC.

Тип флеш-памяти	Число бит на ячейку	Количество состояний ячейки	Относительная стоимость
SLC	1	2	Высокая
MLC	2	4	Средняя
MLC	3	8	Ниже средней

   Разумеется, с увеличением числа бит на ячейку растёт вероятность ошибки, но в данном случае она не так велика. Просто в процессе работы с этой памятью необходимо будет немного тщательнее отслеживать возможность дрейфа напряжения в ячейке. Из-за необходимости большего контроля за целостностью данных будет увеличено "время обработки" отдельной ячейки, однако при этом в неё будет записываться вдвое больше информации. На картинке наглядно показана разница между SLC и MLC (2бит) памятью. Память MLC (3бит) будет вдвое плотнее, чем MLC (2бит).

   Итак, что же всё это означает для конечного пользователя? В долгосрочной перспективе это означает появление ещё более ёмких SSD-накопителей. Как правило, флеш-память используется в таких устройствах хранения, как карты памяти и USB-диски, то есть там, где первостепенными являются высокая плотность и рентабельность. Производители пока не сообщают, когда конкретно на рынке появятся новые электронные накопители, но, по словам представителей Micron, в настоящее время производство MLC (3бит) флеш-памяти уже тестируется, и в четвёртом квартале предполагается начать массовое производство новых чипов.

   "Мы считаем NAND технологию с 3 битами на ячейку важной частью нашего развития", ─ сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент отдела разработки памяти компании Micron. ─ "Мы продолжаем двигаться вперед по пути дальнейшего уменьшения NAND, который много лет будет предоставлять нашим клиентам продукты самого высокого класса. Сегодняшнее объявление подчеркивает, что Micron и Intel добились больших успехов в 34нм NAND, и мы с нетерпением ожидаем разработки нашей 2xнм технологии позднее в этом году."

   "Переход к 3 битам на ячейку это еще одно доказательство, указывающее на значительный прогресс, которого Intel и Micron добились в развитии 34нм NAND", ─ говорит Рэнди Вильгельм (Randy Wilhelm), вице-президент Intel и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. ─ "Эта веха создает условия для лидирования в 2xнм техпроцессе, который будет способствовать снижению издержек и повышению потенциала наших NAND решений для наших клиентов."