IBM создала очень плотную и быструю DRAM

   Продолжая создавать новые продукты, компания IBM недавно сообщила, что она сделала прототип самой маленькой, сверхплотной и сверхбыстрой встраиваемой на чип динамической памяти, в котором используются 32нм SOI-технологии. Созданная для того, чтобы улучшить скорость, энергосбережение и надежность широкого спектра продуктов, супер-малая память IBM EDRAM в два раза более плотная, чем какая-либо показанная к текущему моменту 22нм SRAM память, и в четыре раза более плотная, чем любая 32нм Embedded SRAM память, выпускаемая в промышленных масштабах.

   "Мы предлагаем это 32нм решение нашим клиентам, которые готовы воспользоваться преимуществами значительной производительности и небольшого энергопотребления этой технологии IBM SOI седьмого поколения", ─ сказал вице-президент центра IBM по полупроводниковым исследованиям и разработкам Гари Паттон (Gary Patton). ─ "Ведущая в индустрии встраиваемая память с высокой плотностью и наше соглашение о дизайнерской библиотеке с ARM подчеркивают нашу способность предоставлять клиентам самые современные и прогрессивные 32нм и 22нм SOI технологии".

   Инженеры IBM расскажут подробнее о возможностях 32нм и 22нм EDRAM памяти на Международной конференции по электронным приборам (International Electron Devices Meeting, IEDM), которая состоится в декабре этого года.