Intel сообщает о прорыве в разработке памяти на основе фазовых переходов

   Корпорации Intel и Numonyx объявили о ключевом прорыве в исследовании памяти на основе фазовых переходов (phase change memory, PCM), новой энергонезависимой памяти, которая сочетает в себе многие преимущества различных современных типов памяти. Исследователи впервые продемонстрировали рабочий образец чипа ёмкостью 64Мбит, который создан по технологии, позволяющей включать в один кристалл несколько слоёв PCM массивов. Эта технология позволит создавать устройства с бóльшей мощностью, меньшим энергопотреблением и оптимальным использованием пространства при обеспечении бесперебойного доступа к энергонезависимой памяти.

   Разработка являются результатом совместной программы исследований компаний Numonyx и Intel, исследователи уделяют основное внимание работам над многослойными или уложенными массивами PCM ячеек. Сейчас исследователи Intel и Numonyx могут продемонстрировать вертикально совмещённые ячейки памяти, называемые PCMS (phase change memory and switch, коммутатор и память на основе фазовых переходов). PCMS состоит из одного элемента PCM и нового Ovonic Threshold Switch (пороговый переключатель на аморфных полупроводниках, OTS). Возможность располагать PCMS слоями обеспечивает масштабируемость для более высокой плотности памяти при сохранении эксплуатационных характеристик PCM, задача, которую всё труднее становится выполнять с традиционными технологиями производства памяти.

   "Результаты очень перспективные", ─ говорит Грег Атвуд (Greg Atwood), старший сотрудник по технологиям компании Numonyx. ─ "Результаты свидетельствуют о возможности более высокой плотности, масштабируемых массивах и NAND-подобной модели использования продуктов PCM в будущем. Это важно, поскольку традиционные технологии флэш-памяти сталкиваются с определенными физическими ограничениями и вопросами надёжности, однако спрос на память продолжает расти на всём рынке, от мобильных телефонов до центров обработки данных".

   Ячейки памяти состоят из элементов хранения и селектора, несколько ячеек памяти создают массив. Исследователи Intel и Numonyx смогли использовать в качестве селектора тонкий двухтерминальный OTS, добиваясь физических и электрических свойств, необходимых для расширения PCM. Благодаря свойствам тонких PCMS стало возможным создавать перекрёстные массивы памяти. После объединения в настоящие перекрёстные массивы (cross point array) слои подключаются к CMOS-схемам, предназначенным для декодирования, считывания и логических функций. Более подробная информация о ячейках памяти, перекрёстных массивах, эксперименте в целом и его результатах будет опубликована в совместной статье под названием "A Stackable Cross Point Phase Change Memory" и будет представлена в докладе на конференции 2009 International Electron Devices Meeting в Балтиморе, 9 декабря. Статья написана совместно технологами Intel и Numonyx.