Hynix представляет 2Гбит DDR3 DRAM чипы

   Hynix Semiconductor удалось получить от Intel аттестацию 2Гбитных DDR3 DRAM чипов памяти, которые производятся по 40нм техпроцессу. Производитель говорит, что он начал массовое производство и ожидает проверки RDIMM, которые также будут завершены до конца года.

   Сейчас начато производство компонентов 2Гбит DDR3 SDRAM, 4Гб DDR3 SO-DIMM и 2Гб DDR3 Unbuffered DIMM. Эти чипы имеют рабочую частоту 1333МГц и входное напряжение 1.5В. Новые чипы имеют максимальную частоту передачи данных 1867МГц с 16-битной шиной ввода/вывода и пропускной способностью 3.7Гбит/с.

   Hynix сообщает, что производительность её 40нм 2Гбит DDR3 чипов увеличена более чем на 60% по сравнению с 50нм чипами, при этом их энергопотребление уменьшилось на 40%. Дж.Б.Ким (J.B.Kim), вице-президент компании Hynix, сказал, что новая оперативная память в первую очередь будет применяться в высокопроизводительных серверах.