Samsung представила 30нм асинхронную DDR NAND память

   Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых решений полупроводниковых технологий, объявила о начале первого в отрасли массового производства 30нм 32Гбит Multi-Level-Cell (MLC) чипов NAND памяти с асинхронным DDR (double data rate) интерфейсом. Производитель заявляет, что поставки первых DDR NAND чипов крупным OEM-производителям начались в конце ноября.

   DDR NAND резко повысит производительность мобильных устройств при операциях чтения, требующих высоких скоростей и больших объемов памяти. Новые чипы Samsung DDR MLC NAND, скорость чтения с которых достигает 133Мбит/с, заменят SDR (single data rate) MLC NAND, которая имеет скорость чтения 40Мбит/с. "С новыми чипами DDR MLC NAND удвоенная скорость передачи данных может быть достигнута без увеличения энергопотребления, предоставляя дизайнерам гораздо больше свободы в создании различных устройств", ─ сказал Су-Ин Чо (Soo-In Cho), исполнительный вице-президент и генеральный менеджер отдела памяти Samsung Electronics.

   Он добавил, что "ускорение Samsung в направлении предоставления решений памяти с гораздо более высокими скоростями позволят быстро внедрять высокопроизводительные мобильные устройства, обеспечивающие дополнительное удобство для потребителей". Асинхронные чипы Samsung DDR MLC NAND могут быть использованы в SSD для компьютеров, высокопроизводительных картах памяти SD для смартфонов, а также в памяти Samsung moviNAND. Кроме того, память с высокой плотностью и высокой производительностью является идеальным решением для персональных медиаплееров, MP3-плееров и автомобильных навигационных систем.

   30нм чипы Samsung DDR MLC NAND появились всего через восемь месяцев после того, как производитель объявил о появлении своей 30нм 32Гбит MLC NAND памяти. Использование 30нм DDR NAND чипов позволяет картам памяти достигать скорости чтения в 60Мбит/с, что составляет прирост производительности по крайней мере на 300% по сравнению с SDR NAND картами, работающими со средней скоростью чтения 17Мбит/с. Массовое производство асинхронной DDR MLC NAND памяти, как ожидается, существенно увеличит долю потребительской электроники с высокой плотностью записи данных. По данным аналитической фирмы Gartner Dataquest, глобальный рынок NAND флэш-памяти в 2009 году составит $13.8млрд, а в 2012 году достигнет $23.6млрд.