Intel создаёт ещё более быстрые транзисторы

   Всё ещё основываясь на законе Мура, компания Intel работает над методами создания транзисторов, которые не только переключаются быстрее, но также используют меньше энергии. Для достижения этой цели крупнейший производитель процессоров подумывает о замене кремниевого канала транзистора смешанным полупроводниковым материалом, таким как арсенид индия галлия (InGaAs).

   Исследование корпорации Intel недавно достигло поворотной отметки, как сообщает производитель. Разработчики получили затвор с с большой диэлектрической постоянной (high-k metal gate, HKMG), что может сократить утечки с полевых транзисторов. Тесты этого нововведения показали, что утечка затвора для устройств с короткими каналами была сокращена на 1000x, в то время как толщина проводящего оксида была сокращена на 33%, что привело к повышению скорости коммутации и повышению производительности чипа. Хотя все это звучит очень хорошо, следует отметить, что эта технология вряд ли будет реализована в массовых устройствах до середины следующего десятилетия, так как разработчикам предстоит сделать ещё много работы.