Intel создала InGaAs транзистор

   Разработчики компании Intel сообщили об успешном создании полевого транзистора из InGaAs (индий-арсенид-галлий) на кремниевой основе, расположенной на диэлектрике (то есть silicon on insulator, SoI). Новая технология относится к high-k gate и позволяет уменьшить толщину оксида затвора, что, видимо, очень хорошо. Майк Мэйберри (Mike Mayberry), директор отдела исследования компонент Intel Labs и вице-президент группы производства и технологий Intel, заявил, что длина затвора нового транзистора достаточно коротка. К сожалению, контакты, все еще слишком большие, что, вероятно, означает, что помехи при работе этого транзистора будут велики. Следующий этап разработок будет заключаться в создании контактов меньшего размера, которые минимизируют барьер между металлическими контактами и квантовыми ямами, это не очень понятно, но здорово.

   Учёным Intel понадобилось около трёх лет работы над сложными полупроводниками, чтобы встроить InGaAs транзисторы на кремниевую подложку. Если дальнейшие разработки будут успешными, то эту технологию можно будет использовать в массовом производстве процессоров, объединив обычные методы производства кремниевых чипов с высокой скоростью и высокими токами InGaAs.