Samsung создала первые 30нм чипы DDR3 DRAM

   Компания Samsung Electronics с гордостью объявила, что ей удалось создать первые в отрасли 30нм DRAM чипы памяти DDR3 типа плотностью 2Гбит. По данным южнокорейской компании, использование 30нм технологии увеличивает производительность DDR3 памяти на 60% по сравнению с 40нм чипами и удваивает рентабельность по сравнению с производством по 50нм/60нм техпроцессам.

   "Наше ускоренное развитие следующего поколения 30нм DRAM решения должно удержать нас в наиболее конкурентоспособной позиции на рынке памяти", ─ сказал Су-Ин Чо (Soo-In Cho), президент отдела памяти компании Samsung Electronics. ─ "Наши 30нм технологии обеспечат наиболее передовые маломощные DDR3 чипы, доступные сегодня, и, таким образом, наиболее эффективные решения DRAM везде, от устройств бытовой электроники до серверных систем".

   Новые 20нм чипы DRAM памяти Samsung ёмкостью 2Гбит позволяют сократить энергопотребление на 30% по сравнению с 50нм чипами DRAM. Новые чипы могут быть использованы в самых разных устройствах, в том чисел в настольных компьютерах и ноутбуках, серверах, нетбуках и других мобильных устройствах. Как ожидается, массовое производство 30нм чипов памяти начнётся во второй половине этого года.