Samsung выпускает образцы карт памяти на основе 20нм NAND чипов

   Продолжая возглавлять NAND производство, компания Samsung Electronics объявила, что она разработала 20нм чипы NAND Flash, которые могут быть использованы в картах памяти SD и в различных встраиваемых решениях. По данным южнокорейской компании, производительность её 20нм MLC (Multi-Level Cell) NAND чипов на 50% выше, чем производительность 30нм NAND чипов с таким же уровнем надёжности, кроме того, новые чипы позволяют выпускать карты SD, которые обеспечивают чтение и запись данных на скорости до 10Мб/с.

   "Всего лишь через год после начала производства 30нм NAND Samsung сделала доступной норму нового поколения, 20нм NAND, что превышает большинство требований клиентов к высокопроизводительным, высокой плотности NAND-решениям", ─ сказал вице-президент и генеральный менеджер подразделения Memory Division Су-Ин Чо (Soo-In Cho). ─ "Новые 20нм NAND чипы являются не только важным шагом вперед в дизайне, в них также использованы передовые технологии, обеспечивающие прекрасную инновационную производительность".

   В настоящее время компания Samsung производит отбор образцов SD карт, сделанных на основе новых 20нм NAND чипов ёмкостью 32Гбит. Ожидается, что массовое производство этих чипов начнётся уже в этом году. Samsung планирует предлагать 20нм NAND SD карты ёмкостью от 4Гб до 64Гб.