Samsung выпустит MCP память с изменением фазы

   Компания Samsung Electronics с гордостью объявила, что она станет первым производителем, который выпустит многоблоковые чипы PRAM (multi-chip phase-change memory), предназначенные для мобильных телефонов. 512Мбит устройство должно появиться позднее в этом квартале.

   PRAM, которая рассматривается в качестве преемника NOR флэш-памяти, хранит данные путём изменения фазовых характеристик его материальной базы (сплава германия, сурьмы и титана). Эта память способна сохранять данные в три раза быстрее, чем NOR, кроме того, она может обеспечить значительно больше циклов записи.

   "Память для портативных пользовательских устройств сегодня находятся в поворотной точке, так как мобильные приложения всё чаще требуют более разнообразных технологий памяти," ─ сказал Донг Су Юн (Dong-Soo Jun),старший исполнительный вице-президент по маркетингу памяти компании Samsung Electronics. ─ "Выпуск нашей PRAM в передовом многоблоковом решении для замены 40нм и более тонкой NOR непосредственно удовлетворяет эту потребность. Наши PRAM MCP позволят не только дизайнерам телефонов использовать обычные платформы, но и ускорят внедрение LPDDR2 DRAM и технологии PRAM следующего поколения в качестве передовой основы для высокопроизводительных решений".

   Samsung начала производство PRAM с использованием 60нм техпроцесса в сентябре 2009 года.