Следующее поколение NAND увеличит скорость записи на SSD

   Группа японских инженеров разработала новое поколение NAND флеш-памяти, напряжение которого снижено до 1В. Согласно полученным данным, новое поколение NAND увеличивает скорость записи на SSD до 10Гбит в секунду, причём данные могут одновременно записываться более чем на 100 чипов памяти.

   "Новый метод записи называется "single-cell self-boost method". Он выключает две ячейки, прилегающие к неизбранным ячейкам, с применением напряжения 1В с обоих концов линии, подключенной к неизбранным ячейкам, таким образом, что канал неизбранных ячеек находится в плавающем состоянии", ─ объяснил Юничи Оошита (Jyunichi Ooshita) из компании Nikkei. ─ "Когда напряжение линии увеличивается до 6В, электрический потенциал канала неизбранных ячеек возрастает. В результате разница между электрическими потенциалами неизбранных ячеек и линией уменьшается, предотвращая проблемы с записью".

   Оошита отметил, что энергопотребление сегнетоэлектрической NAND с напряжением 1В на 86% ниже по сравнению с существующими 1.8В чипами NAND флеш-памяти. "Итак, когда SSD производится с использованием новых сегнетоэлектрических чипов NAND, можно увеличить количество чипов NAND, на которые данные могут быть записаны параллельно, до 110 штук. Это в 6.9 раза больше, чем существующие решения на флеш-памяти NAND. В результате, скорость записи данных на SSD достигает 9.5Гбит в секунду".