Intel работает над низковольтной электрически упругой памятью для процессоров

   На ежегодном симпозиуме по большим интегральным схемам (VLSI Circuits), который пройдёт на Гавайях, компания Intel собирается подробно рассказать о своих планах создания того, что производитель называет низковольтной электрически упругой памятью (low-voltage resilient memory).

   Intel утверждает, что современные технологии позволят использовать при создании процессора ультра-маломощные схемы. Это поможет решить одну из проблем, связанных с регистрами, которым сложно работать при низких напряжениях, что ограничивает минимальное рабочее напряжение ядра процессора.

   Для снижения мощности Intel предлагает использовать низковольтную память, которая будет устойчива к случайным электрическим колебаниям и шумам. Согласно данным пресс-релиза Intel, её технология может масштабировать входное напряжение от 1В до 340мВ, в зависимости от требований. Кроме того, производитель говорит об энергоэффективности в 550млрд операций на ватт потребляемой энергии.