Крупный производитель памяти Samsung Electronics с гордостью объявил, что ему удалось сделать первые в мире модули DDR3 ёмкостью 32Гб LRDIMM (dual-inline memory module), которые предназначены для использования в
серверах, использующихся для виртуализации, вычислительных облаков и других интенсивных приложений.
В модуле DDR3 высокой ёмкости используется 72 4Гбит 40нм чипа памяти DRAM. Новые
модули памяти Samsung работают на частоте 1333МГц и с входным напряжением от 1.35В до 1.5В.
"При разработке первого в мире модуля со сниженной нагрузкой, сделанного по 40нм DDR3 технологии, мы подчеркиваем свою решимость объединить лучшие возможности и высокую производительность для нового поколения серверов", ─ сказал Донг-Су Джун (Dong-Soo Jun), исполнительный вице-президент по маркетингу памяти, Semiconductor Business, Samsung Electronics.
Массовое производство 32Гб DDR3 LRDIMM должно начаться во второй половине этого года.