Samsung начала массовое производство 2Гб DDR3 DRAM чипов памяти по 30нм техпроцессу

   В этом году уже сообщалось о появлении первых 30нм 2Гбит DDR3 DRAM чипов, разработанных компанией Samsung. Как сообщает источник, в настоящее время производитель уже начал массовое производство этих чипов, и вскоре будет готов начать их отгрузки, чтобы удовлетворить потребность серверов нового поколения в более быстрой, более энергоэффективной памяти, оптимизированной для вычислительных облаков и виртуализации.

   30нм DDR3 чипы Samsung могут работать на частоте 1866МГц при входном напряжении 1.35В, а при напряжении 1.5В они способны стабильно работать на частоте 2133МГц. Как ожидается, эти чипы памяти будут использоваться для настольных компьютеров, ноутбуков, серверов, нетбуков и различных мобильных устройств.

   "Мы видим резкий рост спроса на DDR3 чипы, и удовлетворяем эту потребность своевременным введением 30нм Green DDR3 решений", ─ сказал Су-Ин Чо (Soo-In Cho), президент отдела памяти компании Samsung Electronics. ─ "DDR3 DRAM, относящаяся к тридцатинанометровому классу, обеспечит наибольшее удовлетворение пользователей, предлагая исключительно высокую производительность и пониженное энергопотребление для компьютерных и серверных приложений, предназначенных для получения выгоды от новых многоядерных процессоров".

   Поскольку производитель не может долго почивать на лаврах своей последней вехи, то Samsung уже планирует дальнейшее развитие 30нм техпроцесса, в рамках которого к концу этого года состоится появление 4Гбит чипов DDR3 DRAM памяти, сделанных по этому технологическому процессу.