Samsung и Toshiba объединились, чтобы создать более быструю NAND память

   Южнокорейский гигант Samsung и японская корпорация Toshiba решили отложить в сторону свои разногласия и вместе поработать над созданием DDR NAND флэш-памяти, которая использует DDR2 спецификации и имеет интерфейс 400Мбит/с, обеспечивая более высокую скорость передачи данных, чем это возможно сейчас.

   Переход от современной DDR1 NAND с её интерфейсом 133Мбит/с на DDR2 NAND принесёт пользу следующему поколению мобильных устройств, бытовой электроники и решений для хранения данных, поэтому компании будут поддерживать стандартные спецификации промышленности для того, чтобы обеспечить скорейшее широкое признание новой NAND памяти.

   "Асинхронная DDR (Toggle DDR) обеспечивает более быстрый интерфейс, чем обычная NAND благодаря асинхронному дизайну, выводя преимущества высокоскоростной передачи данных на более широкий рынок, например, для твердотельных накопителей (SSD), ряда приложений, включая корпоративные системы хранения данных, мобильные телефоны, мультимедийные терминалы и потребительские продукты", ─ сказал Масаки Момодоми (Masaki Momodomi), технический руководитель отдела флеш-памяти компании Toshiba. ─ "И мы будем и впредь прилагать все возможные усилия, чтобы создать стандартное, NAND Flash решение с высокоскоростным интерфейсом, работать с поставщиками и пользователями NAND, что позволит ускорить революцию в системах хранения данных".

   Как Samsung, так и Toshiba уже начали прилагать усилия по стандартизации технологии DDR2 NAND через JEDEC Solid State Technology Association.