Samsung перейдёт на массовое производство 2Гбит DDR3 чипов по 36нм техпроцессу

   Источник сообщает, что компания Samsung Electronics намерена начать массовое производство 2Гбит чипов DDR3 с использованием 36нм технологического процесса в четвёртом квартале 2010 года, продолжая уменьшение норм производства далеко впереди японских и американских конкурентов. Ожидается, что в третьем квартале 2011 года на новый техпроцесс будет приходиться более 50% от общего объёма производства DRAM от Samsung. Переход на 36нм обеспечит 30% сокращение расходов по сравнению с 46нм техпроцессом, который в настоящее время является основным процессом DRAM Samsung. После завершения перехода цена производства 2Гбит DDR3 для Samsung будет сокращена в среднем до $1.

   Компания Elpida Memory переходит к 45нм техпроцессу с 63нм, который в настоящее время является основным для DRAM памяти, выпускаемой Elpida. Между тем, Micron Technology переходит на 42нм техпроцесс с 50нм. Аналитики выражают опасения, что вступление Samsung в производство 30нм класса позволит поставщику предлагать более низкие расценки, чем предлагаемые со стороны конкурентов. Кроме того, так как тайваньские производители DRAM наращивают производство с технологической поддержкой от Elpida и Micron, не может быть исключена возможность ценовой войны.

   По данным DRAMeXchange, в третьем квартале по сравнению со вторым кварталом текущего года цены на DRAM снизилась на 13%. Ожидается, что в четвёртом квартале цены упадут по сравнению с третьим на 20%, цена на 1Гбит DDR3 чипы снизится до уровня $1.50.