Samsung создала новые 4Гбит и 8Гбит LPDDR2 чипы для мобильных устройств

   Компания Samsung Electronics готова ответить на необходимость увеличения памяти в мобильных устройствах, таких как планшеты и смартфоны, выпуском недавно разработанных 4Гбит и 8Гбит LPDDR2 (low power double-data-rate 2) DRAM чипов, которые производятся по технологическому процессу порядка 30нм.

   Новые чипы DRAM работают на частоте до 1066МГц, что более чем в два раза превышает скорость предыдущего поколения мобильной DRAM памяти, достигавшей частоты 400МГц, поэтому они могут предоставлять как высокую плотность данных, так и повышенную производительность при использовании в следующем поколении портативных устройств. Новые 8Гбит DRAM чипы, которые фактически включают в себя по два 4Гбит чипа, потребляют на 25% меньше энергии, чем ранее выпущенные 8Гбит модули, выполненные на основе четырёх 2Гбит чипов. Кроме того, новые чипы памяти отличаются толщиной 0.8мм, то есть тоньше, чем их предшественники, имеющие толщину 1.0мм.

   Пробное производство 4Гбит LPDDR2 чипов уже началось, в то время как пробное производство 8Гбит чипов, как ожидается, начнётся в конце текущего месяца.