Elpida начала выборку 30нм 4Гб DDR3 SO-DIMM

   Elpida Memory, Inc., ведущий мировой поставщик Dynamic Random Access Memory (DRAM), объявил о начале отбора образцов своих недавно разработанных 30нм 4-гигабайтных DDR3 SO-DIMM модулей. Новые модули памяти сделаны с использованием передового 30нм техпроцесса по технологии DRAM и состоит из шестнадцати 2Гбит DDR3 SDRAM чипов, благодаря чему достигается высокая плотность, равная 4Гб.

   По сравнению с 40нм DRAM модулями Elpida, новый продукт использует на 20% меньше тока в режиме работы и на 30% меньше тока в режиме ожидания. Производитель сообщает, что новый модуль DRAM обеспечивает один из самых низких уровней энергопотребления в промышленности. Новые экологичные DRAM обеспечивают эффективное энергосбережение, что отвечает потребности в увеличении срока службы аккумуляторов ноутбуков, нетбуков, планшетов и других портативных электронных устройств. Кроме того, новый модуль предлагает скорость передачи данных до 1866 мегабит в секунду. Он может предоставлять высокую производительность и функциональность для вычислительных устройств, которые должны управлять постоянно растущими объёмами данных.

   Переход Elpida от 40нм на 30нм производство может помочь уменьшить потребность в новых инвестициях и уменьшить конечную стоимость модулей памяти. В новых модулях используются передовые 30нм технологии, которые позволяют не только улучшить производительность, но также достичь более высокого уровня ценовой конкурентоспособности. Elpida планирует начать массовое производство 4Гб DDR3 SO-DIMM в первом квартале 2011 года.