Компания Samsung начала производство 30-нм чипов памяти LPDDR2 большой ёмкости

   Компания Samsung Electronics Co., Ltd, лидер на рынке современных решений в области полупроводниковых технологий, объявила о начале производства первых LPDDR2 (low power double-data-rate 2) микросхем памяти DRAM ёмкостью 4 Гб с применением технологических норм 30-нм техпроцесса. Новые мобильные чипы памяти позволят создавать более тонкие и лёгкие смартфоны, планшеты и другие мобильные устройства, которые будут способны работать в автономном режиме в течение более продолжительного времени, демонстрируя показатели, не достижимые в настоящее время.

    «Массовое производство 4-Гб чипов – это выдающееся достижение в индустрии мобильных решений, которое позволит нашим OEM-клиентам быстро перейти к расширению ассортимента предлагаемых высокопроизводительных мобильных устройств, – сказал Ванун Хонг (Wanhoon Hong), исполнительный вице-президент Samsung Electronics по маркетингу. – Наша компания будет продолжать проявлять инициативу, стремясь ускорить темпы роста мирового рынка посредством выпуска в максимально сжатые сроки и с максимальной периодичностью высокопроизводительных решений в области хранения данных большой ёмкости, созданных с применением зелёных технологий».

   4-Гб чип LPDDR2 DRAM, массовое производство которого началось в этом месяце, был разработан в декабре 2010 года. По сравнению с предыдущим решением – 2-Гб чипом LPDDR2 DRAM, созданным по 40-нм техпроцессу, новейшая разработка позволяет повысить скорость работы на 60%.

   Новый чип предлагает сочетание знергоэффективности и высокой производительности, позволяя осуществлять передачу данных со скоростью до 1,066 Мбит/сек, что более чем в два раза превосходит аналогичный показатель для современных мобильных чипов памяти DDR, поддерживающих скорость передачи данных в диапазоне от 333 Мбит/сек до 400 Мбит/сек.

   Новые чипы позволят создавать более тонкие устройства памяти. Создание модуля памяти объёмом 8 Гб на основе чипов памяти LPDDR2 предыдущего поколения максимальным объёмом 2 Гб требовало использования четырёх микросхем. Создание модуля памяти аналогичного объёма на основе новейших чипов потребует применения только двух микросхем, при этом новый модуль будет на 20% тоньше предыдущего (0,8 мм против 1 мм) и будет потреблять на 25% меньше энергии.

   Стремясь удовлетворить растущий спрос на мобильные чипы памяти DRAM, позволяющие хранить большой объёмом данных, Samsung планирует начать производство 8-Гб модулей памяти на базе 4Gb LPDDR2 чипов уже в этом месяце, а производство модулей памяти объёмом 16 Гб на базе четырёх новейших чипов – в следующем месяце.

   Как ожидает Samsung, производители мобильных устройств окажутся в выигрыше от использования решений на основе новых чипов памяти 4Gb LPDDR2, так как речь идёт о выпуске конкурентоспособных продуктов на базе двухъядерных процессоров, требующих применения мобильной памяти большого объёма с высокими скоростными характеристиками.

   Согласно прогнозам аналитического агентства iSuppli, в период с 2009 по 2014 гг. ежегодный рост объёмов поставок смартфонов средней и высшей ценовых категорий составит порядка 18%. Это, в свою очередь, вызовет значительное повышение спроса на решения в области памяти DRAM, и в этом случае iSuppli прогнозирует рост объёмов портебления на уровне 64% за аналогичный период времени.