Intel Corporation и Micron Technology Inc. представили новый, более «тонкий» технологический процесс производства микросхем NAND-флеш памяти с многоуровневыми ячейками памяти (Multi Level Cell – MLC). Применение новых 20-нм технологических норм способствует появлению более компактных решений в области хранения данных повышенной ёмкости для хранения музыкальных композиций, видеоконтента, электронных книг и другой информации в
смартфонах,
планшетах и используемых в
компьютерах устройствах хранения данных, таких как
SSD накопители.
Увеличение объёмов хранимых данных в сочетании с расширением функционала планшетных компьютеров и смартфонов предъявляет новые требования к технологии NAND-флеш памяти, особенно по таким аспектам, как ёмкость и компактность чипов памяти. Площадь нового 8-Гб чипа, созданного на базе 20-нм технологии флеш-памяти, составялет всего 118 мм², что позволяет сэкономить от 30% до 40% (в зависимости от используемой корпусировки) полезной площади печатной платы по сравнению с существующим 8-Гб чипом, созданным на базе 25-нм технологии. Применение новой, более компактной схемы устройств флеш-памяти позволяет повысить эффективность использования доступного пространства, в результате чего производители планшетов и смартфонов получают в своё распоряжение дополнительное свободное пространство, позволяющее использовать более крупные и ёмкие аккумуляторы, более крупные дисплеи или дополнительные чипы, реализующие новые функции.
 |  |
Появление новейших 20-нм микросхем флеш-памяти объёмом 8 Гб, изготавливаемых компанией IMFT (IM Flash Technologies) – совместным предприятием Intel и Micron по производству решений в области NAND-флеш памяти – является прорывом в технологии производства решений на основе NAND-флеш памяти, позволяющим ещё больше укрепить лидирующие позиции компаний Intel и Micron в производстве полупроводниковых решений на основе литографии. Применение более «тонких» 20-нм технологических норм в литографии, представляющих собой очередной ключевой этап в развитии технологии, является наиболее эффективным с экономической точки зрения способом увеличения объёмов выпускаемой продукции благодаря приблизительно 50%-му повышению ёмкости решений, выпускаемых на производственных мощностях IMFT. Новый 20-нм техпроцесс обеспечивает производительность и ресурс микросхем NAND-флеш памяти на уровне 25-нм техпроцесса.
«Тесное взаимодействие с клиентами – один из основополагающих принципов работы компании Micron, позволяющий постоянно совершенствовать возможности наших решений для конечных устройств хранения данных на основе NAND-флеш памяти, непрерывно повышая их конкурентоспособность», - говорит Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент NAND Solutions Group. – Внедрение 20-нм технологических норм является примером дальнейшего роста и инновационного развития компании Micron, благодаря которым мы имеем возможность предложить нашим клиентам конкурентоспособные решения в области хранения данных на основе полупроводниковых элементов».
«Наша цель – сделать доступ к глобальной информации максимально быстрым и открытым, – говорит Том Рампоне (Tom Rampone), вице-президент Intel NVM Solutions Group. – Благодаря передовым технологиям производства микросхем NAND-флеш памяти, корпорация Intel имеет возможность предлагать своим клиентам наиболее рентабильные решения самого высокого качества, поколение за поколением. Совместное предприятие Intel и Micron является образцовой моделью в индустрии NAND-флеш памяти благодаря тому, что мы продолжаем удерживать лидирующие позиции в технологии производства, осуществляя быстрый переход на всё более и более «тонкие» технологические нормы, применяемые на всех наших заводах».
В настоящее время представлены образцы новых 20-нм чипов флеш-памяти, позволяющие хранить до 8 Гб данных, в то время как массовое производство этих чипов запланировано на вторую половину 2011 года. В это же время Intel и Micron, как ожидается, представят образцы и 16-Гб чипов. В перспективе планируется выпуск 128-Гб чипов памяти размером меньше американской почтовой марки.
Подождите...
