Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Пятница, 20 мая 2011 10:08

Прорыв в исследовании технологии хранения данных

короткая ссылка на новость:
HP    Исследователи из компании Hewlett-Packard сделали большой шаг вперёд на пути к созданию технологии памяти следующего поколения. Как известно, потенциальной заменой широко используемых в настоящее время технологий флеш-памяти и памяти DRAM могут служить так называемые мемристоры.

   Как сообщает издание «Нанотехнология», учёным удалось сформулировать общие принципы, позволяющие описать структуру и химические процессы, протекающие в мемристорах при подаче напряжения. Некоторым исследователям даже удалось создать работающие лабораторные образцы мемристоров, хотя им не было известно, что именно происходит внутри этих мельчайших структур. Специалисты компании Hewlett-Packard решили, что располагают достаточными ресурсами, позволяющими перевести новейшую технологию на коммерческие рельсы. По словам представителя компании, данный шаг позволит значительно повысить производительность компьютеров.

   Теория мемристоров впервые была сформулирована в 1971 году профессором Калифорнийского университета Леоном Чуа (Leon Chua). До этого момента существовало три основных элемента электрической схемы: резистор, конденсатор и катушка индуктивности. Профессор Чуа выдвинул постулат о существовании ещё одного, четвёртого, элемента.

   Исследователи Hewlett-Packard доказали существование мемристоров, описав механизм их работы с точки зрения возможности перехода от одного уровня электрического сопротивления к другому и обратно в диапазоне от двух и более уровней. Проблема заключалась в том, что изучение мемристоров представляло значительную сложность ввиду их малых размеров.

   Инженеры Hewlett-Packard полагают, что обойти данное препятствие можно с помощью узкосфокусированного пучка рентгеновских лучей, направленного на канал мемристора шириной всего 100 нм, где и происходит изменение уровня электрического сопротивления. Впоследствии исследователям из HP удалось определить структурные и химические аспекты функционирования этого канала, что позволило лучше понять принципы работы мемристоров. Доклад на эту тему был опубликован учёными из Hewlett-Packard совместно с коллегами из Университета Санта-Барбары, Калифорния, США.

Источник: www.fudzilla.com

подписаться   |   обсудить в ВК   |