Micron представила прототип сверхбыстрой памяти

   На конференции Hot Chips, прошедшей в Стэнфордском университете, компания Micron, мировой лидер на рынке полупроводниковой продукции, представила прототип сверхбыстрой памяти Hybrid Memory Cube (HMC) DRAM. Показанный образец использует процесс, аналогичный используемому в 3D-процессорах, с применением вертикально соединённых чипов памяти, что в свою очередь позволяет обеспечить пропускную способность на уровне 128 Гбит/с. Речь идёт о действительно невероятных скоростных характеристиках, если учесть, что самые быстрые из современных модулей памяти DDR3 обеспечивают пропускную способность, не превышающую 12.8 Гбит/с. Производитель рассчитывает на то, что чипы памяти HMC смогут обеспечить пропускную способность, в 20 раз превышающую аналогичный показатель для современной памяти DDR3, достигая уровня в 160 Гбит/с. Новые чипы также смогут выполнять умопомрачительные 3,2 млрд. запросов на выполнение операций в секунду в режиме 32-битных вычислений.

   Однако и это ещё не всё. Новые модули памяти будут потреблять на хранение каждого бита лишь 10% энергии по сравнению с существующими модулями DDR3. В полном соответствии с названием компании инновационная разработка Micron потребует на 90% меньше места, что должно вызвать особый интерес к новинке со стороны производителей мобильных устройств и ноутбуков. На данный момент о сроках выпуска новой памяти ничего не сообщается. Возможно, Micron потребуется несколько лет для того, чтобы усовершенствовать свою технологию, однако даже если удастся достичь показателей на уровне 50% от заявленных, это может вызвать революционные изменения в сегменте энергозависимой памяти.