Crocus и IBM объединяют усилия для производства памяти нового типа в России

   Компании Crocus Technology Inc. и IBM Corp. подписали пакет патентных соглашений, достигнув договорённость о совместной разработке полупроводниковой технологии, сочетающей в себе технологию MRAM с использованием магнитного переключателя с тепловой инициализацией (MLU MRAM, Thermally-Assisted Magnetic Logic Unit Magnetoresistance Random Access Memory) от компании Crocus Technology Inc. и технологию энергонезависимой магниторезистивной памяти от компании IBM (MRAM), а также вычислительные мощности IBM.

   Конкретные данные о том, на базе каких проектных норм будет осуществляться совместная работа Crocus и IBM, не сообщаются, однако, судя по всему, заключённое соглашение предполагает выход за пределы 130-нм техпроцесса, над которым Crocus в настоящее работает совместно с компанией Tower Semiconductor Ltd. (Израиль). По словам представителей Crocus, производственный процесс как результат совместных усилий с компанией IBM будет осуществляться на заводе по производству кремниевых пластин Crocus Nano Electronics в России, технологический потенциал которого предусматривает возможность реализации целевого задания по изготовлению отдельных модулей памяти MRAM повышенного объёма на базе 90-нм и 65-нм проектных норм.

   Не сообщается, будет ли IBM также заниматься производством самостоятельных решений на базе технологии MRAM или речь идёт о реализации данной технологии в рамках встроенных решений. Финансовая сторона вопроса также не разглашается.

   Технология MLU MRAM от компании Crocus (Калифорния, США), официально представленная в июне 2011 г., базируется на таком элементе, как магнитный переключатель с тепловой инициализацией, используемом для хранения данных в памяти и доступа к ним. Как заявляет Crocus, такая память хорошо масштабируется, а применение данной технологии открывает возможность создания памяти, похожей на память NAND, в рамках технологии MRAM, включая возможность хранения нескольких бит данных в одной ячейке и создание специальной, заточенной под поисковую инфраструктуру, памяти для работы в веб-серверах.

   В заявлении, опубликованном компанией Crocus, Уильям Галахер (William Gallagher), старший специалист отдела квантовых вычислений и исследований в области магнитных технологий направления «память» компании IBM, отметил: «Мы стремимся к сотрудничеству с компанией Crocus, преследуя цель дальнейшего развития передовых магнитных технологий памяти на базе полупроводниковых решений, которые позволили бы расширить функциональность и повысить производительность полупроводниковых продуктов». «Совместная работа и заключённое с компанией Crocus соглашение о патентном лицензировании содействуют реализации нашего давнего принципа приверженности идеалам внедрения инновационных решений в рамках партнёрских отношений», – добавил он.

   Представители Crocus Technology Inc.заявили о том, что технология MRAM памяти от IBM сулит серьёзные преимущества над конкурирующими решениями в области памяти. В число других компаний, работающих в направлении MRAM-памяти, входят Everspin Technologies Inc. (подразделение Freescale Semiconductor Inc.) и компания Grandis, которую недавно приобрела Samsung Electronics Co. Ltd. Everspin предлагает решения на основе технологии магниторезистивной памяти, использующей технологию переноса момента спина (STT-MRAM, Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory), которые, как сообщаются изготавливаются на основе 180-нм техпроцесса.

   Завод по производству кремниевых пластин Crocus Nano Electronics в России проектируется с расчётом на возможность изготовления кремниевых пластин диаметром 300 мм, позволяющих производить готовые продукты на базе норм проектирования 90 нм и 65 нм. К стандартным CMOS-пластинам будут добавляться специальные слои, наличие которых предусматривает технология MRAM. Ввод в эксплуатацию нового предприятия ожидается не ранее 2013 года.