Intel и Micron создали первый чип флеш-памяти на 128 Гбит

   На днях компании Intel и Micron, крупнейшие игроки на рынке твердотельной Flash-памяти, объявили о серьёзном технологическом прорыве в области увеличения плотности хранения данных. Речь идёт о первой в мире микросхеме NAND-Flash памяти класса MLC объёмом 128 Гбит, созданной на базе 20-нм технологии и соответствующей спецификации ONFI 3.0 с поддержкой скорости передачи данных до 333 Мт/c (миллионов трансферов в секунду). Новые чипы послужат основой для создания перспективных моделей SSD-накопителей повышенной ёмкости, а также планшетов, смартфонов и других мобильных устройств следующего поколения. По словам представителей Intel и Micron, новую веху в истории развития технологии NAND-памяти открывает применение инновационной структуры ячейки памяти, «снимающей ограничения в масштабировании производительности, связанные с использованием обычных ячеек памяти на базе транзисторов с плавающим затвором, благодаря осуществляемому впервые внедрению в производственный процесс NAND Flash памяти структуры ячейки памяти на базе технологии HKMG (High-K/Metal Gate), предполагающей использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов в транзисторе».    Роб Кук (Rob Crooke), вице-президент Intel и руководитель направления «Решения в области энергонезависимой памяти», заявил: «Приятно наблюдать за тем, как Intel и Micron благодаря совместным усилиям сохраняют лидирующие позиции в области NAND flash-памяти. В скором времени появятся наши первые образцы ёмких, экономичных в производстве и эффективных в работе чипов NAND flash-памяти на базе 20-нм технологии. Благодаря использованию планарной структуры ячейки памяти в сочетании с технологией HKMG, компания IM Flash продолжает развивать технологический потенциал наших решений в области NAND flash-памяти, способствуя созданию новых великолепных продуктов, услуг и форм-факторов».

   Инженеры компании IM Flash Technologies, совместного предприятия Intel и Micron по производству NAND flash-памяти, получат образцы новых MLC-чипов на 128 Гбит в январе с последующим производством готовой продукции, которое начнётся в первом полугодии 2012 года. Тем временем на производственных мощностях IM Flash Technologies активизируется массовое производство 20-нм чипов NAND-памяти ёмкостью 64 Гбит.